2026年7月，美国材料与试验协会（ASTM）发布ASTM F1892-26《电离辐射（总剂量）对半导体器件影响的测试标准指南》。本指南介绍了确定微电子器件在电离辐射（总剂量）下的耐受能力的相关背景信息及操作指南。当辐射剂量率低于300 rad(SiO2)/s时，这些测试和分析将有助于判断被测器件是否能够满足特定的硬度要求，或者帮助评估这些部件在各种辐射环境下的使用性能。本标准中提到的方法和指南适用于基于硅的MOS器件、双极型分立器件以及集成电路的特性评估、质量认证以及批次验收。这些方法和指南同样适用于处理电子和光子辐射带来的影响。

本指南提供了根据待测试部件的一般特性以及这些部件的辐射耐受要求或最终使用场景来选择测试序列的框架。本指南旨在平衡以下两个方面：一方面尽量减少测试方法的保守性；另一方面尽可能减少所需的测试工作量。确定一种有效且经济的硬度测试方法通常需要做出几类决策。以下是通常需要做出的部分决策：

1.确定进行设备特性测试的必要性的判断——每次测试活动都有特定的测试目标，这些目标旨在确定施加在测试设备上的强度、能量谱以及辐射剂量。在某些情况下，采用一种更合适的测试方案可能更为合适，即不需要进行设备特性测试，而是重点验证设备在辐照后的存活能力。其他测试活动则需要在辐照前、辐照过程中以及辐照后，对设备的性能进行精确评估，以便为特定的辐射剂量环境提供完整的设备特性数据。

2.剂量率的计算——对于每一种被测试的设备类型，确定剂量率对设备辐射敏感性的影响是非常重要的。根据需要，还需要确定这种表征的详细程度，包括剂量范围、持续时间以及总累积剂量等参数。

3.确定一种有效的策略，以最小化辐射剂量率对测试结果的影响。

4.选择有效的测试方法。

当所需的硬度为100 rad(SiO2)或更低时，对MOS和双极微电子设备的硬度测试就不需要进行了，因为这样的硬度已经足够满足认证或批次验收的要求。